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1、超薄晶圆操控难题：半自动晶圆减薄机在处理 50μm 以下超薄晶圆时，因晶圆刚度急剧下降，传统真空吸附方式难以平衡固定需求与损伤风险，导致 12 英寸超薄晶圆减薄良率仅 85% 左右，翘曲、碎裂问题频发，成为制约设备应用的关键痛点。

2、精度与应力控制矛盾：半自动晶圆减薄机的机械研磨过程中，砂轮与晶圆热膨胀系数失配易诱发非均匀热变形，使总厚度偏差（TTV）超 2μm；同时针对 SiC、GaN 等脆性材料，设备难以精准控制磨削力度，易产生崩边、亚表面裂纹，损伤层深度可达 2-10μm。

3、异种材料适配局限：3D IC 封装场景中，TSV 铜互连层与硅基体硬度差异显著（2.5GPa vs 12GPa），半自动晶圆减薄机的单一磨削模式无法适配材质差异，导致磨削力波动，严重影响晶圆表面质量；宽禁带半导体的特殊物理特性，进一步加剧了设备的适配难度。

4、半自动流程效率瓶颈：现有半自动晶圆减薄机依赖人工辅助上下料、手动调整工艺参数，不仅导致单晶圆减薄周期较全自动设备长 30%，还因人为操作差异造成批次一致性差，对操作人员的经验依赖度极高，限制了产能提升与规模化应用。