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    為了通過以很高的精確度監視拋光狀態使工藝過程效率更高，以致能夠實現比常規半導體器件製造降低成本，從而使得半導體行業在應用領域更加完善。

    在拋光期間監視通過在拋光底盤和拋光物之間放入拋光劑的狀況下，在上述的拋光底盤和上述的拋光物之間施加負載，以及通過使拋光底盤和拋光物相互相對移動來拋光的上述的拋光物的拋光狀態，用從光源射出的探測光照射上述的拋光物、通過第一光學係統在拋光期間獲取是由上述的拋光物反射的光的光譜的測量光譜，和在拋光期間根據上述的測量光譜監視上述的拋光狀態，在上述的拋光物的拋光之前或在上述的拋光物的拋光期間用從上述的光源射出的光照射特定的反射物體，該反射物體是不同於所述拋光物的，通過第二光學係統獲取是在拋光狀態下由所述反射物體反射的光的光譜的參考光譜，在上述的拋光物的拋光期間根據上述的測量光譜對上述參考光譜的關係曲線監視上述的拋光狀態。

    而且，在這樣的監視中，不是在上述的拋光物拋光之前就是在上述的拋光物拋光期間用上述的光源的光(例如，這種光可以是與探測光一樣的，或者可以是從光源發射並單獨從探測光分裂的光)照射特定的反射物體，並且獲得是由以上所述的反射物體反射的光的光譜的參考光譜;然後，在上述的拋光物的拋光期間根據上述的測量光譜與上述參考光譜的關係曲線監視上述的拋光狀態。此外，像白光等等之類的具有許多波長成分的光被用作上述的探測光和照射上述的反射物體的光。

    最理想的是上述的反射物體具有平坦的光譜特性;然而，這種反射物體也可具有特定的光譜特性。為了改進獲得的測量光譜的S/N比率，最理想的是上述的反射物體的反射率為20%或更大;30%或更大的反射率更理想，50%或更大的反射率愈加理想，70%或更大的反射率還要理想而90%或更大的反射率更加理想。

    上述的關係曲線是以參考光譜作為基準用有關的光譜代換測量光譜的關係曲線。可以舉出測量光譜對參考光譜的強度比率(即，在各個波長上測量光譜強度對參考光譜強度之比)為上述的關係曲線的例子;然而，〔本發明〕不局限於像這樣的關係曲線。

    在本發明中，在拋光期間獲得〔上述的」測量光譜，並且在拋光期間(現場)根據這樣的測量光譜來監視拋光狀態;所以基本上根據光譜反射測量實現拋光狀態監視。

    而且在本發明中，不“照原來樣子”使用測量光譜;而不是在拋光以前就是在拋光期間用從探測光光源發射的光照射特定的反射物體，並獲得由這樣的反射物體反射的光的光譜(參考光譜);然後，在拋光期間根據測量光譜對參考光譜的關係曲線監視拋光狀態。因此，即使測量光譜本身的波形受光源的光譜特性幹擾而引起變化而且自始致終變化，但是光源的光譜特性也以相同的方式影響參考光譜和測量光譜;因此，能夠大體上從上述的關係曲線排除光源的光譜特性的影響。此外，如果用同一光接收傳感器接收在獲得測量光譜和參考光譜時接收的各束反射光，則光接收傳感器的光譜靈敏度特性以同樣的方式影響參考光譜和測量光譜;因此，從上述的關係曲線大體上能夠排除光接收傳感器的光譜靈敏度特性的影響。所以在本發明中，由於根據上述的關係曲線監視拋光狀態，因此，增加監視拋光狀態監視的精確度。

    而且，在拋光以前獲得參考光譜的情況中，為了盡可能排除在工作時間範圍內變化的影響，最理想的是在拋光開始以前或者在緊接開始拋光瞬間的時刻立即獲得參考光譜。當然，由於在短時間內不出現在工作時間範圍內光源或光接收傳感器的光譜靈敏度特性上的變化，因此如果從參考光譜獲得到拋光開始的時間的是足夠短以致沒有明顯出現在工作時間範圍內上述的變化的影響的時間，那麽就足可以了。

    此外，上述的拋光狀態的例子包括檢測(或確定)的剩餘薄膜厚度、拋光量或者拋光邊界點。本發明方麵2所申請專利範圍的發明[其特征在於〕在本發明方麵2所申請專利範圍的發明的事實，使上述的探測光和對準上述的反射物體的上述的光經由在上述的拋光底盤內形成的一個或更多個窗口射向上述的拋光物或上述的反射物體，否則就使上述的探測光和對準上述的反射物的上述的光射向上述的拋光物或上述的反射物體從上述的拋光底盤露出的部分。

    在本發明方麵1所申請專利範圍的發明中，如同在本發明方麵2所申請專利範圍的發明中，在上述的拋光底盤內可以設窗口或者窗口不在拋光底盤內。

    本發明方麵3所申請專利範圍的發明[其特征在於〕本發明方麵1所申請專利範圍的發明或本發明方麵2所申請專利範圍的發明的事實，在射向上述的反射物體的上述的光的光徑和從這個反射物體反射的光的[光徑」內放入上述的拋光劑的狀況下獲得上述的參考光譜。

    在本發明方麵1所申請專利範圍的發明和本發明方麵2所申請專利範圍的發明中，在沒有放入拋光劑的情況下也可以獲得參考光譜。然而，如果如同本發明放入拋光劑，則在緊接獲得測量光譜的狀況的狀況下能夠獲得顯示拋光劑的影響的參考光譜;因此，能夠減小拋光劑對上述的關係曲線的影響，以致能夠進一步增加監視拋光狀態的精確度。